本文系統解析電容器核心參數，涵蓋標稱容量、額定電壓、溫度特性及等效串聯電阻(ESR)等關鍵指標，為電路設計與元器件選型提供實用參考。

一、 基礎參數：容量與電壓

標稱容量是電容儲存電荷能力的核心指標，單位通常為法拉(F)。實際應用中，常用微法(μF)、納法(nF)或皮法(pF)表示。容量選擇需匹配電路需求，過大或過小可能影響濾波、耦合效果。 額定電壓指電容可長期安全工作的最高直流電壓。選擇時需預留余量，通常建議工作電壓不超過額定值的60%-80%。電壓超標可能導致介質擊穿，引發短路失效。

二、 介質材料與溫度特性

介質類型決定核心性能

不同介質材料直接影響電容的溫度穩定性、頻率響應及損耗角。常見介質包括： - 陶瓷介質：體積小、高頻特性好 - 鋁電解：單位體積容量大，適合電源濾波 - 薄膜介質：損耗低、精度高

溫度系數不可忽視

電容容量會隨溫度變化。溫度系數(如X5R, X7R)標注了容量在特定溫度范圍內的允許偏差。高溫應用需特別關注此參數，避免容量漂移導致電路異常。

三、 ESR與頻率響應

揭秘等效串聯電阻

ESR是電容內部電阻的等效值，由電極、引線電阻及介質損耗共同構成。它是衡量電容高頻性能和濾波效率的關鍵指標： - 高ESR導致電容發熱，降低穩壓效果 - 開關電源輸出濾波要求低ESR電容 - ESR通常隨頻率升高而降低（來源：IEEE基礎電路理論）

頻率特性影響實際應用

電容的阻抗特性隨頻率變化： 1. 低頻段：呈現容性，阻抗隨頻率升高而降低 2. 諧振點：阻抗最小（由容量和寄生電感決定） 3. 高頻段：呈現感性，阻抗隨頻率升高而增大 設計高頻電路需選擇自諧振頻率高于工作頻率的電容。