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超低ESR KEMET電容在數(shù)據(jù)中心光模塊中的應(yīng)用

日期:2026-05-12 09:56:43 點(diǎn)擊數(shù):

超低ESR KEMET電容在數(shù)據(jù)中心光模塊中的應(yīng)用 數(shù)據(jù)中心內(nèi)部大量使用光模塊進(jìn)行服務(wù)器間的高速互聯(lián)。光模塊的供電質(zhì)量直接影響傳輸距離和誤碼率,而傳統(tǒng)電容在高頻下的性能衰減限制了光模塊的性能發(fā)揮。超低ESR電容為光模塊電源設(shè)計(jì)提供了新的可能。 KEMET T521系列五款超低ESR產(chǎn)品:T521X107M025ATE060(100μF/25V)、T521X336M050ATE050(33μF/50V)、T521X336M050ATE075(33μF/50V)、T521X337M016ATE050(330μF/16V)、T521X476M035ATE030(47μF/35V)。 X型封裝提供更大的電極面積和更低的ESR。T521X336M050ATE075在10kHz至10MHz頻段內(nèi)的阻抗始終低于0.02Ω,為激光器驅(qū)動電路提供近乎完美的電源噪聲抑制。這種特性對于400G、800G等高速光模塊尤為重要。 在QSFP-DD、OSFP等高速光模塊的TIA驅(qū)動和激光器供電中,這些電容是標(biāo)準(zhǔn)配置。其緊湊的尺寸和高可靠性使光模塊能夠在數(shù)據(jù)中心的高溫環(huán)境下穩(wěn)定運(yùn)行。


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