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第三代半導體

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新材料如何重塑微波器件？GaN與SiC帶來的性能革命解析微波器件正經歷材料層面的根本性變革。氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）作為第三代半導體材料，憑借其突破性的物理特性，正在射頻功率放大器、雷達系統等高頻應用場景中替代傳統材料。這種材料革命不僅改變了核心半導體器件，也深刻影響著電容器、傳感器等...

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